【快3安卓app下载-秒秒快3安卓app下载】理想丰满现实骨感,未达预期的3D V

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理想丰满现实骨感,未达预期的3D V-NAND技术

  • 2014-12-17 15:200:08
  • 类型:原创
  • 来源:电脑报
  • 报纸编辑:王诚
  • 作者:

【电脑报在线】去年三星率先发布的3D V-NAND技术,所有相关介绍都说其都需要使SSD实现更高的存储密度、写入强度、更低的功耗以及更高的稳定性,让亲戚亲戚大伙对其抱有很高的期望。

        去年三星率先发布的3D V-NAND技术,所有相关介绍都说其都需要使SSD实现更高的存储密度、写入强度、更低的功耗以及更高的稳定性,让亲戚亲戚大伙对其抱有很高的期望。就在本月,采用3D V-NAND技术的三星 8200PRO和8200EVO正式发布,这也是是因为3DV-NAND是是因为实现商品化,不不都可不都可以全新的3DV-NAND技术的表现究竟如何呢?

3D V-NAND技术揭秘

        作为闪存芯片(NAND)制造的新技术,3D V-NAND主要从特征方面对闪存芯片进行了改进。在过后的闪存芯片中,采用的需要2D平面设计的存储单元(Cell)技术。使用3D V-NAND技术过后,则将闪存芯片中的晶体管竖了起来,或者用绝缘体和控制栅极环绕包围这哪此晶体管,另有另一个就形成了有另一个 “站立”起来的同轴特征体。将哪此同轴特征体一层层向上堆叠,形成多层特征,就构成了3D V-NAND的基本特征。



闪存芯片传统特征(左)和3D特征的对比(右)

        太难看出,使用3D V-NAND技术过后,好比让平房变成了高楼,就能在同一面积的闪存芯片中装入去更多的存储单元,有助增加单位面积内的存储容量。去年最早发布的3D V-NAND技术,不不都可不都可以堆叠24层,而在过后发布的三星新款8200pro和8200evo中,是是因为能实现32层的堆叠。



3D垂直堆叠技术的进化

本文出自2014-12-22出版的《电脑报》2014年第200期 E.硬件DIY (网站编辑:pcw2013)

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